Difference between revisions of "エクササイス"
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| − | === | + | ===エクササイス-2: C2H2分子の分極率と光吸収 === |
| − | + | このエクササイスでは、時間依存コーン・シャム方程式を解いてアセチレン(C2H2)分子の線形応答計算を学びます。 | |
| − | + | 線形応答計算は、分子の分極率や振動子強度分布を与えます。 | |
| − | + | このエクササイスは、 [[#エクササイス-1: C2H2分子の基底状態|エクササイス-1]]で説明された基底状態計算を終えた後に実行する必要があります。 | |
| − | + | 計算では、分子軸を''z''軸として、C2H2分子の全ての電子に分子軸方向に撃力的な摂動を加えます。 | |
| − | + | その後に、外場を加えることなく時間発展計算を実行します。 | |
| − | + | 計算の途中で、電気双極モーメントを保持します。 | |
| − | + | 時間発展計算の後、電気双極モーメントに対して時間-振動数フーリェ変換を行い、振動数依存分極率を得ます。 | |
| − | + | 振動数依存分極率の虚部は、振動子強度分布と光吸収断面積に比例します。 | |
| − | ==== | + | ==== 入力ファイル ==== |
| − | : | + | : 計算を実行するのに、線形応答計算のためのネームリスト変数とそれらの値を含む入力ファイル''C2H2_rt_response.inp''が必要です。 |
| + | 基底状態計算で生成したバイナリファイル''C2H2_gs.bin''と擬ポテンシャルファイルも必要です。 | ||
| + | 擬ポテンシャルファイルは、基底状態計算で用いたものと同じであることが必要です。 | ||
{| class="wikitable" | {| class="wikitable" | ||
| − | | | + | | ファイル名 || 説明 |
|- | |- | ||
| − | | ''C2H2_rt_response.inp'' || | + | | ''C2H2_rt_response.inp'' || ネームリスト変数とそれらの値を含む入力ファイル |
|- | |- | ||
| − | | ''C_rps.dat'' || | + | | ''C_rps.dat'' || 炭素原子の擬ポテンシャル |
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| − | | ''H_rps.dat'' || | + | | ''H_rps.dat'' || 水素原子の擬ポテンシャル |
|- | |- | ||
| − | | ''C2H2_gs.bin'' || | + | | ''C2H2_gs.bin'' || 基底状態計算で生成されたバイナリファイル |
|} | |} | ||
| − | * | + | * 圧縮された''C2H2_rt_response.inp''ファイルを以下からダウンロードできます: |
| − | [[media:C2H2_rt_response_input.zip| | + | [[media:C2H2_rt_response_input.zip|圧縮された入力ファイルのダウンロード]] |
| − | * | + | *入力ファイル''C2H2_rt_response.inp''において、ネームリスト変数が指定されます。それらのほとんどは線形応答計算を行うため必須です。それらの説明を以下で行います。 |
| − | [[ | + | [[入力ファイルの説明(C2H2分子の分極率と光吸収)]] |
| − | : | + | : これは、あなたが計算を行いたい他の系の入力ファイルを準備するのに役立つでしょう。入力ファイルで用いることができるネームリスト変数の完全なリストは、ダウンロードファイルの''SALMON/manual/input_variables.md''にあります。 |
| − | ==== | + | ==== 出力ファイル ==== |
| − | : | + | : 計算の実行後、コードを実行したディレクトリに以下の出力ファイルが生成されます。 |
{| class="wikitable" | {| class="wikitable" | ||
| − | | | + | | ファイル名 || 説明 |
|- | |- | ||
| − | | ''C2H2_lr.data'' || | + | | ''C2H2_lr.data'' || エネルギーの関数としての分極率と振動子強度分布 |
|- | |- | ||
| − | | ''C2H2_p.data'' || | + | | ''C2H2_p.data'' || 時間の関数としての双極モーメントの成分 |
|} | |} | ||
| − | * | + | * 上記の圧縮ファイルを以下からダウンロードできます: |
| − | [[media:C2H2_rt_response_output.zip| | + | [[media:C2H2_rt_response_output.zip|圧縮した出力ファイルのダウンロード]] |
| − | * | + | *出力ファイルの説明が以下に与えられています: |
| − | [[ | + | [[出力ファイルの説明(C2H2分子の分極率と光吸収)]] |
=== Exercise-3: Electron dynamics in C2H2 molecule under a pulsed electric field === | === Exercise-3: Electron dynamics in C2H2 molecule under a pulsed electric field === | ||
Revision as of 23:41, 24 January 2018
Contents
はじめに
SALMONエクササイスへようこそ！
このエクササイスでは、SALMONの多岐にわたる応用をカバーする いくつかのサンプルを用いて、基本からSALMONの使い方を説明します。 以下では、UNIX/Linux OSの計算環境にあることを前提にします。 最初に、あなたの計算環境にSALMONをダウンロードしインストールすることが必要です。 まだ行っていない場合は、ダウンロードとインストールと実行に従い作業してください。
インストールと実行で述べたように、SALMONを実行するためには少なくとも 入力ファイルと擬ポテンシャルファイルが必要です。 以下では、いくつかのサンプル計算に対する入力ファイルを示し、その入力ファイルに 現れるネームリスト変数の簡単な説明を行います。 その入力ファイルを修正して、あなた自身が行いたい計算を実行することができるでしょう。 サンプルに含まれている元素の擬ポテンシャルも提供されています。 主要な出力ファイルの説明も行います。
以下では６つのエクササイスを紹介します。
最初の３つのエクササイス（エクササイス-1~3）は、孤立したアセチレン分子C2H2に対するものです。 もし孤立した系の電子ダイナミクス計算に興味がある場合は、これらのエクササイスをごらんください。 SALMONでは、通常最初に基底状態計算を行います。 これは、エクササイス-1で説明します。 基底状態計算が終わったのち、２つの電子ダイナミクス計算が用意されています。 エクササイス-2では、分子の分極率と光吸収を得る 実時間での線形光応答計算を示します。 エクササイス-3では、 パルス電場中にある分子の電子ダイナミクス計算を示します。
次の２つのエクササイス(エクササイス-4~5)は、結晶固体シリコンに対するものです。 もし無限周期系における電子ダイナミクス計算を学ぶことに興味があれば、これらのエクササイスを見てください。 小さな単位セルを持つ系の基底状態計算は容易であり、時間発展計算の方がはるかに計算時間がかかるため、 基底状態と時間発展の計算を一つのジョブとして実行することを推奨します。 以下の２つのエクササイスも、そのようになっています。 エクササイス-4では、結晶シリコンの誘電関数を得るための 線形応答性質の計算を示します。 エクササイス5 では、パルス電場により結晶シリコンに誘起される電子ダイナミクス計算を示します。
最後のエクササイス(エクササイス-6)は、バルクシリコンにおけるパルス光の入射と伝播に対して、 パルス光の電磁場に対するマクスウェル方程式と単位セルの電子ダイナミクス計算を結合したものです。 ものです。 これは大きな計算時間を必要とするため、大規模並列スパコンの利用が推奨されます。 エクササイス-6で、 バルクシリコンの表面に垂直に入射する直線偏光パルス光の入射計算を示します。
C2H2 (孤立分子)
エクササイス-1: C2H2分子の基底状態
このエクササイスでは、静的コーン・シャム方程式を解くことにより、アセチレン分子(C2H2)の基底状態計算を学びます。 このエクササイスは、分子やナノ粒子のような孤立した系に対して、SALMONを用いた計算を行う準備をどのように すれば良いかを知るのに有用です。今のところ、SALMONで構造最適化を実行することはできないことに注意して ください。分子の原子位置は入力ファイルて指定され、計算の過程では固定されます。
入力ファイル
- コードを実行するために、以下のファイルが必要です。
| file name | description |
| C2H2_gs.inp | ネームリスト変数とそれらの値を含む入力ファイル |
| C_rps.dat | 炭素原子の擬ポテンシャル |
| H_rps.dat | 水素原子の擬ポテンシャル |
- 上記の３つのファイル（圧縮ファイル）は、以下からダウンロードできます:
圧縮された入力ファイルと擬ポテンシャルファイルをダウンロード
- 入力ファイルC2H2_gs.inpでは、ネームリスト変数が指定されています。それらの多くは、
基底状態計算を実行するために必須です。それらの説明を以下に示します:
入力ファイルの説明(C2H2分子の基底状態)
- あなたが計算をしたい他の系のための入力ファイルを準備するのに、この情報は有用です。
入力ファイルで用いることのできるネームリスト変数の完全なリストは、ダウンロードファイルのSALMON/manual/input_variables.mdにあります。
出力ファイル
- 計算を実行した後、あなたがコードを実行したディレクトリに以下の出力ファイルが生成されています。
| file name | description |
| C2H2_info.data | 基底状態の解の情報 |
| dns.cube | 電子密度のキューブファイル |
| elf.cube | 電子局在関数(ELF) |
| psi1.cube, psi2.cube, ... | 電子軌道 |
| dos.data | 状態密度 |
| pdos1.data, pdos2.data, ... | 射影された状態密度 |
| C2H2_gs.bin | 実時間計算で用いるバイナリ出力ファイル |
- 上記のファイル（バイナリファイルC2H2_gs.binを除き、圧縮ファイル)は、以下からダウンロードすることができます:
圧縮された出力ファイルのダウンロード
- 軌道エネルギーのような主要な計算結果はC2H2_info.dataに含まれています。
C2H2_info.dataと他の出力ファイルは、以下で説明されています:
出力ファイル(C2H2分子の基底状態)の説明
画像イメージ
- 出力ファイルから作成されたいくつかの画像イメージを示します。
| image | files used to create the image |
| 最高占有軌道(HOMO) | psi1.cube, psi2.cube, ... |
| 電子密度 | dns.cube |
| 電子局在関数 | elf.cube |
エクササイス-2: C2H2分子の分極率と光吸収
このエクササイスでは、時間依存コーン・シャム方程式を解いてアセチレン(C2H2)分子の線形応答計算を学びます。 線形応答計算は、分子の分極率や振動子強度分布を与えます。 このエクササイスは、 エクササイス-1で説明された基底状態計算を終えた後に実行する必要があります。 計算では、分子軸をz軸として、C2H2分子の全ての電子に分子軸方向に撃力的な摂動を加えます。 その後に、外場を加えることなく時間発展計算を実行します。 計算の途中で、電気双極モーメントを保持します。 時間発展計算の後、電気双極モーメントに対して時間-振動数フーリェ変換を行い、振動数依存分極率を得ます。 振動数依存分極率の虚部は、振動子強度分布と光吸収断面積に比例します。
入力ファイル
- 計算を実行するのに、線形応答計算のためのネームリスト変数とそれらの値を含む入力ファイルC2H2_rt_response.inpが必要です。
基底状態計算で生成したバイナリファイルC2H2_gs.binと擬ポテンシャルファイルも必要です。 擬ポテンシャルファイルは、基底状態計算で用いたものと同じであることが必要です。
| ファイル名 | 説明 |
| C2H2_rt_response.inp | ネームリスト変数とそれらの値を含む入力ファイル |
| C_rps.dat | 炭素原子の擬ポテンシャル |
| H_rps.dat | 水素原子の擬ポテンシャル |
| C2H2_gs.bin | 基底状態計算で生成されたバイナリファイル |
- 圧縮されたC2H2_rt_response.inpファイルを以下からダウンロードできます:
圧縮された入力ファイルのダウンロード
- 入力ファイルC2H2_rt_response.inpにおいて、ネームリスト変数が指定されます。それらのほとんどは線形応答計算を行うため必須です。それらの説明を以下で行います。
入力ファイルの説明(C2H2分子の分極率と光吸収)
- これは、あなたが計算を行いたい他の系の入力ファイルを準備するのに役立つでしょう。入力ファイルで用いることができるネームリスト変数の完全なリストは、ダウンロードファイルのSALMON/manual/input_variables.mdにあります。
出力ファイル
- 計算の実行後、コードを実行したディレクトリに以下の出力ファイルが生成されます。
| ファイル名 | 説明 |
| C2H2_lr.data | エネルギーの関数としての分極率と振動子強度分布 |
| C2H2_p.data | 時間の関数としての双極モーメントの成分 |
- 上記の圧縮ファイルを以下からダウンロードできます:
圧縮した出力ファイルのダウンロード
- 出力ファイルの説明が以下に与えられています:
出力ファイルの説明(C2H2分子の分極率と光吸収)
Exercise-3: Electron dynamics in C2H2 molecule under a pulsed electric field
In this exercise, we learn the calculation of the electron dynamics in the acetylene (C2H2) molecule under a pulsed electric field, solving the time-dependent Kohn-Sham equation. As outputs of the calculation, such quantities as the total energy and the electric dipole moment of the system as functions of time are calculated. This tutorial should be carried out after finishing the ground state calculation that was explained in Exercise-1. In the calculation, a pulsed electric field that has cos^2 envelope shape is applied. The parameters that characterize the pulsed field such as magnitude, frequency, polarization direction, and carrier envelope phase are specified in the input file.
Input files
- To run the code, following files are used. The C2H2.data file is created in the ground state calculation. Pseudopotential files are already used in the ground state calculation. Therefore, C2H2_rt_pulse.inp that specifies namelist variables and their values for the pulsed electric field calculation is the only file that the users need to prepare.
| file name | description |
| C2H2_rt_pulse.inp | input file that contain namelist variables and their values. |
| C_rps.dat | pseodupotential file for Carbon |
| H_rps.dat | pseudopotential file for Hydrogen |
| C2H2.data | binary file created in the ground state calculation |
- You may download the C2H2_rt_pulse.inp file (zipped file) from:
Download zipped input file
- In the input file C2H2_rt_pulse.inp, namelists variables are specified. Most of them are mandatory to execute the calculation of electron dynamics induced by a pulsed electric field. We present explanations of the namelist variables that appear in the input file in:
Explanations of input files (C2H2 molecule under a pulsed electric field)
- This will help you to prepare the input file for other systems and other pulsed electric fields that you want to calculate. A complete list of the namelist variables that can be used in the input file can be found in the downloaded file SALMON/manual/input_variables.md.
Output files
- After the calculation, following output files are created in the directory that you run the code,
| file name | description |
| C2H2_p.data | components of the electric dipole moment as functions of time |
| C2H2_ps.data | power spectrum that is obtained by a time-frequency Fourier transformation of the electric dipole moment |
- You may download the above files (zipped file) from:
Download zipped output files
- Explanations of the files are described in:
Explanations of output files (C2H2 molecule under a pulsed electric field)
Crystalline silicon (periodic solids)
Exercise-4: Dielectric function of crystalline silicon
In this exercise, we learn the linear response calculation of the crystalline silicon of a diamond structure. Calculation is done in a cubic unit cell that contains eight silicon atoms. Since the ground state calculation costs much less computational time than the time evolution calculation, both calculations are successively executed. After finishing the ground state calculation, an impulsive perturbation is applied to all electrons in the unit cell along z direction. Since the dielectric function is isotropic in the diamond structure, calculated dielectric function should not depend on the direction of the perturbation. During the time evolution, electric current averaged over the unit cell volume is calculated. A time-frequency Fourier transformation of the electric current gives us a frequency-dependent conductivity. The dielectric function may be obtained from the conductivity using a standard relation.
Input files
- To run the code, following files are used:
| file name | description |
| Si_gs_rt_response.inp | input file that contain namelist variables and their values. |
| Si_rps.dat | pseodupotential file of silicon |
- You may download the above 2 files (zipped file) from:
Download zipped input and pseudopotential files
- In the input file Si_gs_rt_response.inp, namelists variables are specified. Most of them are mandatory to execute the calculation. We present explanations of the namelist variables that appear in the input file in:
Explanations of input files (dielectric function of crystalline silicon)
- This will help you to prepare the input file for other systems that you want to calculate. A complete list of the namelist variables that can be used in the input file can be found in the downloaded file SALMON/manual/input_variables.md.
Output files
- After the calculation, following output files are created in the directory that you run the code,
| file name | description |
| Si_gs_info.data | information of ground state calculation |
| Si_eigen.data | energy eigenvalues of orbitals |
| Si_k.data | information on k-points |
| Si_rt.data | electric field, vector potential, and current as functions of time |
| Si_force.data | force acting on atoms |
| Si_lr.data | Fourier spectra of the dielectric functions |
| Si_gs_rt_response.out | standard output file |
- You may download the above files (zipped file) from:
Download zipped output files
- Explanations of the output files are described in:
Explanation of output fiels (dielectric function of crystalline silicon)
Exercise-5: Electron dynamics in crystalline silicon under a pulsed electric field
In this exercise, we learn the calculation of electron dynamics in a unit cell of crystalline silicon of a diamond structure. Calculation is done in a cubic unit cell that contains eight silicon atoms. Since the ground state calculation costs much less computational time than the time evolution calculation, both calculations are successively executed. After finishing the ground state calculation, a pulsed electric field that has cos^2 envelope shape is applied. The parameters that characterize the pulsed field such as magnitude, frequency, polarization, and carrier envelope phase are specified in the input file.
Input files
- To run the code, following files are used:
| file name | description |
| Si_gs_rt_pulse.inp | input file that contain namelist variables and their values. |
| Si_rps.dat | pseodupotential file for Carbon |
- You may download the above 2 files (zipped file) from:
Download zipped input and pseudopotential files
- In the input file Si_gs_rt_pulse.inp, namelists variables are specified. Most of them are mandatory to execute the calculation. We present explanations of the namelist variables that appear in the input file in:
Explanation of input files (crystalline silicon under a pulsed electric field)
- This will help you to prepare the input file for other systems that you want to calculate. A complete list of the namelist variables that can be used in the input file can be found in the downloaded file SALMON/manual/input_variables.md.
Output files
- After the calculation, following output files are created in the directory that you run the code,
| file name | description |
| Si_gs_info.data | information of ground state calculation |
| Si_eigen.data | energy eigenvalues of orbitals |
| Si_k.data | information on k-points |
| Si_rt.data | electric field, vector potential, and current as functions of time |
| Si_force.data | force acting on atoms |
| Si_lr.data | Fourier transformations of various quantities |
| Si_gs_rt_pulse.out | standard output file |
- You may download the above files (zipped file) from:
Download zipped output files
- Explanations of the output files are described in:
Explanation of output files (crystalline silicon under a pulsed electric field)
Maxwell + TDDFT multiscale simulation
Exercise-6: Pulsed-light propagation through a silicon thin film
In this exercise, we learn the calculation of the propagation of a pulsed light through a thin film of crystalline silicon. We consider a silicon thin film of ?? nm thickness, and an irradiation of a few-cycle, linearly polarized pulsed light normally on the thin film. First, to set up initial orbitals, the ground state calculation is carried out. The pulsed light locates in the vacuum region in front of the thin film. The parameters that characterize the pulsed light such as magnitude and frequency are specified in the input file. The calculation ends when the reflected and transmitted pulses reach the vacuum region.
Input files
- To run the code, following files are used:
| file name | description |
| Si_gs_rt_multiscale.inp | input file that contain namelist variables and their values. |
| Si_rps.dat | pseodupotential file for silicon |
- You may download the above two files (zipped file) from:
Download zipped input and pseudopotential files
- In the input file Si_gs_rt_multiscale.inp, namelists variables are specified. Most of them are mandatory to execute the calculation. We present explanations of the namelist variables that appear in the input file in:
Explanation of input files (pulsed-light propagation through a silicon thin film)
- This will help you to prepare the input file for other systems that you want to calculate. A complete list of the namelist variables that can be used in the input file can be found in the downloaded file SALMON/manual/input_variables.md.
Output files
- After the calculation, following output files are created in the directory that you run the code,
| file name | description |
| Si_gs_info.data | results of the ground state as well as input parameters |
| Si_eigen.data | orbital energies in the ground state calculation |
| Si_k.data | information on k-points |
| Si_Ac_xxxxxx.data | various quantities at a time as functions of macroscopic position |
| Si_Ac_M_xxxxxx.data | various quantities at a macroscopic point as functions of time |
| Si_Ac_vac.data | vector potential at vacuum position adjacent to the medium |
| Si_gs_rt_multiscale.out | standard output file |
- You may download the above files (zipped file) from:
Download zipped output files
- Explanations of the output files are described in:
Explanation of output files (pulsed-light propagation through a silicon thin film)
